该设备用于精密光学器件的膜层研发和生产，配备了样品室、传输室、工艺室，搭载了光控膜厚系统，可实现精密的金 属、氧化物、介质膜等的制备。
技术参数
极限压力
样品室5E-4Pa；传输室8E-5Pa；工艺室8E-5Pa；
抽气速率
样品室：≤10分钟(从大气到10 Pa)传输室，工艺室：≤40分钟(从大气到5E-3 Pa)
基板尺寸
单炉12片，最大直径200mmX厚度50mm
反应源
ICP
溅射源
单、双旋转阴极
溅射电源
中频/直流脉冲/射频电源
光控范围
400-1700nm
膜层均匀性
自然均匀性≤5%；带修正板均匀性≤1%
真空系统
干泵+分子泵 或 干泵+低温泵，传片失败率：≤1%
设备尺寸
6000 mm (宽) × 6500 mm (深)×3500 mm (高)
