原子层沉积系统(ALD)-OLED/光伏钙钛矿-杰莱特(苏州)精密仪器有限公司

原子层沉积系统(ALD)

项目	技术参数
工艺温度	50～300 ℃
膜厚均一性	片内/片间 ≤2%
镀膜面积	支持4/6/8/12寸，或300×300 mm（向下兼容）
前驱体	DIPAS、TiCl₄、TMA 等
真空底压	≤1 Pa
漏率	5.0×10⁻⁹ Pa·m³/s
化学源配置	2路化学源 + 1路氧源（可选配）
占地面积	1830×1250×1400 mm
设备基片尺寸	4/6/8/12寸、300×300 mm 等多种规格可选
设备功能	可用于SiO₂、TiOx、Al₂O₃等材料的ALD沉积镀膜

上一篇：没有了！

下一篇：团簇式多功能薄膜沉积系统(Cluster)