团簇式多功能薄膜沉积系统(Cluster)

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团簇式多功能薄膜沉积系统(Cluster)


设备可以完成最大300mmX300mm基板镀膜。采用团簇 式分布,中间为传输室,周围分布各种功能性镀膜室, 结构紧凑,方便传片。周边腔室根据客户要求,可配置 蒸发、磁控、等离子清洗等不同功能的设备。 



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设备配置

基本配置

主要参数与功能

传输腔体及 传送机械手臂

标准为八边形,低温泵抽气,极限真空8E-5Pa。机械手取送样定位精度±0.2mm

样品载入/载出腔体 (loadlock)

极限真空8E-5Pa,标准为10层卡夹,可存放基片与MASK

蒸镀腔体

1 0组蒸发源,低温泵抽气,极限真空4E-5Pa。基片台机械对位精度±0.2mm,CCD对位精度±5um

IBS腔体

高功率激光膜,精密光学膜

高温蒸镀腔体

6组蒸发源,低温泵抽气,极限真空4E-5Pa。基片台机械对位精度±0.2mm

PECVD腔体

用于基片的薄膜封装,可镀氮化硅等膜层

磁控溅射腔体

用来制作ITO导透明电极或溅射法镀铝电极

ALD腔体

制作氧化铝薄膜,用于基片的薄膜封装

旋转腔体 (90度与180度与270度)

可与传输室共用真空系统,用于基片的方向变换

翻转腔体180度

可与传输室共用真空系统,用于基片的翻转

加热烘烤腔体

基片或MASK的加热、烘烤去气

手套箱及内箱辅助设备 (如测量,点胶压合等设备)

后端的基片取出后在氮气环境保护下进行封装,测试等工作

整体控制系统及 外围辅助设备

整套设备的控制及正常运行的水、电、气保证



测试数据(膜厚均匀性)

目标速率:2A/S

序号

实验数据1

实验数据2

实验数据3

1

760.1

1090.95

673.8

2

777.95

1106.5

679.4

3

774.6

1115.25

688.15

4

788.4

1131.6

692

5

800.8

1142.9

697

6

799.4

1140.45

698.8

7

797.05

1130.4

694.55

8

788.7

1115.05

690.3

9

776.75

1105.85

686.7

10

762.95

1106.75

678.05

11

747.3

1088.35

669.6

12

775.95

1087.55

704.85

13

777

1093

689.7

min

747.3

1087.55

669.6

max

800.8

1142.9

704.85

uniformity

0.03456

0.02482

0.02565