工艺室尺寸

直径1040mm，高度960mm

极限真空

低于4.0E-5Pa

漏气速率

≤5E-9Pa·m3/s（氦检漏率）/保压12小时≤5Pa

基板尺寸

最大12寸

离子源系统

16cm RF主源+12cm RF辅源

溅射靶系统

配备4块方形靶材（靶材位置可调）

膜厚系统

透射式光学监控系统/在线式晶振系统

膜厚均匀性

≤±0.5%；（半径70mm以外）

真空系统

干泵+分子泵 或 干泵+低温泵

传片失败率

≤1%

设备尺寸

3500 mm (宽) × 2200 mm (深)×2750 mm (高)